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提高电路的开关速度有几种简单技术措施？
栅极驱动的优化 以下几种简单的技术措施能够有效进步电路的开关速度，这就是栅极驱动的优化（图5. 80）。通常状况下，为了进步电源的应用率，功率开关总是开通的时间远比关闭的时间要长，缩短关断时间就显得尤为迫切，所以栅极驱动的简单优化也大都是针www.kiaic.com/article/detail/405.html 2017-08-24
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JFET技术参数与VMOS比较相似之处，两者差异主要参数是有由器件组成的
小功率JFET 小功率并无严厉定义，约定俗成的凶素比较多，在不同的范畴，概念上也有所不同。就晶体管而言，普通是指电流规格小于1A的器件。 小功率JFET的用途主要是低噪声高频放大，如VHF( Very High Fre-quency，www.kiaic.com/article/detail/402.html 2017-08-22
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CMOS OP放大器的构造、差动放大电路与源极接地电路组合
根本电路是差动放大+源极接地 图9.1示出最根本的CMOS OP放大器的构造。它是由差动放大电路与源极接地电路组合而成的2级放大OP放大器(2-stage op-amp)。差动放大电路作为OP放大器的输入级（初级），第2级的源极接地电路兼有输出级的作用。www.kiaic.com/article/detail/401.html 2017-08-22
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解析“MOS管的本征增益gmro”的特征和频率
栅源放大电路源极接地放大电路是最常用的放大电路，它最大的电压增益是gmr。（MOS晶体管的本征增益），也就是不超越几十倍的程度。所谓“本征”，就是说具有比ro大得多的负载电阻Rload的放大电路的电压增益与这个负载电阻的值无关，只由MOSwww.kiaic.com/article/detail/397.html 2017-08-21
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mos管模型及三个小信号参数
小信号等效电路 模仿电路解析包括直流解析和交流小信号解析。这里导入小信号解析时所需要的小信号等效电路。小信号等效电路模型是使计算简单化的线性模型。三个小信号参数gm、gmb、go 如前所述，模仿电www.kiaic.com/article/detail/394.html 2017-08-18
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CMOS逻辑电路，CMOS标准逻辑电路是什么？
CMOS规范逻辑CMOS规范逻辑的历史与MOS型半导体的开展历史有着亲密的关系。图11.l示出规范逻辑IC从降生到开展的树状生长过程。规范逻辑IC大致能够分为用双极工艺制造的TTL( Transistor Transistor Logic)、ECL( Emitter Coupledwww.kiaic.com/article/detail/391.html 2017-08-17
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mos晶体管的沟道长度影响 增加漏极-源极件电压会受到什么影响呢
MOS管夹断与沟道长度调制实践工作中，晶体管的沟道长度对特性式有一定的影响，这叫做沟道长度调制。1．MOS晶体管在非饱和区的行为下面以NMOS晶体管为例，讨论MOS晶体管处于导通状态时的沟道厚度。图1www.kiaic.com/article/detail/388.html 2017-08-16
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如何正确理解mos管衬底偏置效应
由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M2的阈值电压比M1高。www.kiaic.com/article/detail/389.html 2017-08-16
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MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声
MOS晶体管的噪声MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声（1／f噪声）。沟道电阻产生的热噪声电子在电阻巾作随机运动，因此电阻的两端会产生噪声电压，这种噪声电压称为热噪声。MOS晶体管的沟道具有电阻成www.kiaic.com/article/detail/390.html 2017-08-16
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MOS晶体管放大电路的三个端子中有两个分别是输入端和输出端
为了放大模仿信号必需运用有源器件。MOS晶体管就是一种频繁运用的有源器件。MOS晶体管的三个端子中有两个分别是输入端和输出端。还有第三个端子，将这个端子固定为一定的电位就能够构成三种放大电路。就是说，源极、栅极、漏极中的某个极衔接到固定电位上，就可...www.kiaic.com/article/detail/386.html 2017-08-15
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以NMOS晶体管为例，阐明MOS的工作原理特征
先讨论将栅极与源极短路、接地（VGS=OV）时的状况。如图1.9所示的MOS晶体管。这种状态下，虽然漏极上加电压VDS，但是在漏极—源极间简直没有电流流过。为什么？如图1.10所示，这是由于此时的漏极与源极间能够等效为两个pn结二极管反向连接。www.kiaic.com/article/detail/385.html 2017-08-15
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体二极管的技术参数VSD、IS、trr、Qrr、ISM、IRRM
早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是...www.kiaic.com/article/detail/382.html 2017-08-14
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cmos电路和cmos器件的特点以及优化分析
CMOS器件具有宏大市场的最大理由就是功率耗费低。正如将CMOS反相器电路（图10.4）置换为等效电路（图10.5）时所看到的那样，不管输入的信号是“L”电平还是“H”电平，p沟MOS晶体管和n沟MOS晶体管中总有一个OFF，处于切断／高阻抗状态。就是说，在稳定状态下，...www.kiaic.com/article/detail/379.html 2017-08-11
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新生军训要准备什么东西，请给一个最大全详细
非常有用：军训小经验，军训必备，大概的军训情况表让你轻松度。1、一般来说大学军训都会发一套迷彩服，包括帽子鞋肩章什么的都有，但是有的学校不会给军用的短袖，发短袖的话，如果不每天都检查就千万不要穿，不知道那是什么布料，一点不吸汗还越出汗越热。在...www.kiaic.com/article/detail/375.html 2017-08-09